Math.ru Библиотека

Барьеры.

От кристалла до интегральной схемы.

Михаил Ефимович Левинштейн, Григорий Соломонович Симин

М.: Наука, 1987. 320 с.
Тираж 134000 экз.
Серия Библиотечка «Квант», выпуск 65
Загрузить (Mb)
djvu (11.68) pdf (-) ps (-) html (-) tex (-)

Популярный рассказ о полупроводниковых приборах - о том, как они устроены, как работают, где применяются, как выращивают и очищают полупроводники, как изготавливают интегральные схемы, как зарождалась полупроводниковая электроника и какие удивительные перемены произошли в мире с ее появлением. В основе работы полупроводниковых приборов лежат свойства кристалла, из которого прибор изготовлен, и свойства барьеров, возникающих на границе между различными частями кристалла. Поняв свойства полупроводников и преодолев барьеры, можно разобраться в том, как работает любой прибор - от простейшего диода до самой сложной интегральной схемы.

Для учащихся старших классов, студентов, преподавателей.


Содержание

От авторов

Введение. Дорогу осилит идущий

Часть I. ПОЛУПРОВОДНИКИ

Глава 1. Что такое полупроводник
Металлы, диэлектрики, полупроводники
Собственные полупроводники
      "Свободные" электроны в кристалле
      Дырки
      Генерация и рекомбинация
      Тепловая генерация электронов и дырок
      Рекомбинация электронов и дырок
      Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике
Бестигельная зонная плавка
Примесные полупроводники
      Донорная примесь
      Примесное истощение
      Зависимость концентрации электронов от температуры
      Дырки в электронном полупроводнике
      Акцепторная примесь
Послушайте теперь ту же мелодию в исполнении фагота
      Компенсация
Moralite

Глава 2. Рождение, жизнь и смерть электрона и дырки
Рождение и смерть
      Глубокие центры: компенсаторы, ступеньки, убийцы
Жизнь и движение
      Тепловое движение: средняя скорость, шарики для настольного тенниса на подносе и в ведре с водой
      Движение в электрическом поле: подвижность, зависимость дрейфовой скорости от поля, энергетическая диаграмма
История самых главных понятий
      Диффузия (коэффициент диффузии, диффузионный ток, соотношение Эйнштейна, скорость диффузии, диффузия неравновесных носителей)
Moralite

Часть II. БАРЬЕРЫ

Глава 3. Барьер на границе кристалла
Работа выхода
      Вернись, я вновь и вновь зову - вернись
      Двойной заряженный слой
      Как определяется работа выхода и чему она равна
      С полупроводниками, как всегда дело обстоит непросто
Поверхностные состояния
      Уровни Тамма
      Реальная поверхность
Изгибы зон, поверхностный потенциал
Moralite

Глава 4. Основные параметры энергетических барьеров в полупроводниках
Как внешнее электрическое поле проникает в металл, диэлектрик, полупроводник
      Металл
      Диэлектрик
      Полупроводник
      Закон изменения поля с координатой
Распределение поля в барьере. Ширина барьера
Трансмутационное легирование полупроводников
Несколько слов о прямоугольных треугольниках
Moralite

Глава 5. p-n переход
Способы получения p-n переходов
      Сплавление
      Диффузия
      Ионная имплантация
Барьер на границе
      Высота барьера
      Обедненный слой
      Распределение поля в барьере. Ширина барьера
      Чудесное равновесие
Обратное смещение
      Высота и форма барьера
      Обратный ток
      Фотодиоды
      Барьерная емкость
      Варикапы
      Ударная ионизация
Первая похвала терпению
Прямое смещение
      Высота барьера
      Прямой ток
      Инжекция
      Снова прямой ток
      Светодиоды
      Солнечные батареи
      Выпрямительные диоды
Вторая похвала терпению
Moralite

Часть III. ТРАНЗИСТОРЫ

Глава 6. Биполярные транзисторы
Принцип работы биполярного транзистора
      Усиление по току
      Притча о главном и деталях
      Быстродействие транзистора
Как выглядят биполярные транзисторы и как они изготавливаются
Фотолитография
Простейшие транзисторные схемы
      Схема усилителя с общим эмиттером
      Схема усилителя с общей базой
Moralite

Глава 7. Полевой транзистор
На заре туманной юности
      Основная идея
      Простые оценки
      Старые друзья
Зрелость и расцвет
      Полевой транзистор с p-n переходом
Эпитаксия
Усердие все превозмогает: МДП транзисторы
Несколько важных деталей
Физическая картина работы полевого транзистора в реальных рабочих режимах
      Основные параметры полевых транзисторов
      Крутизна
      Быстродействие
Полевой транзистор как элемент радиотехнических схем
      Moralite

Глава 8. Транзисторы и жизнь
Первая королева
Гадкий утенок
Да здравствует король!
Король исчезает. Да здравствует король!
Претенденты на трон
      Объемные интегральные схемы
      Полупроводниковые элементы оптических ЭВМ
      Биорадиоэлектроника

Заключение


Загрузить (Mb)
djvu (11.68) pdf (-) ps (-) html (-) tex (-)

Постоянный адрес этой страницы: http://math.ru/lib/bmkvant/65